ON Semiconductor
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FDMD86100
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FDMD86100

MOSFET 2N-CH 100V
Numéro d'article
FDMD86100
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
PowerTrench®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerWDFN
Puissance - Max
2.2W
Package d'appareil du fournisseur
8-Power 5x6
Type FET
2 N-Channel (Dual) Common Source
Fonctionnalité FET
Standard
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
10A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2060pF @ 50V
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