ON Semiconductor
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FDFMA3P029Z
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FDFMA3P029Z

MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
Numéro d'article
FDFMA3P029Z
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
PowerTrench®
Statut de la pièce
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-VDFN Exposed Pad
Package d'appareil du fournisseur
6-MicroFET (2x2)
Dissipation de puissance (maximum)
1.4W (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3.3A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
87 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
435pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±25V
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