ON Semiconductor
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FDFMA2P853T
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FDFMA2P853T

MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
Numéro d'article
FDFMA2P853T
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
PowerTrench®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareil du fournisseur
MicroFET 2x2 Thin
Dissipation de puissance (maximum)
1.4W (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
435pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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