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2SK4209

MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB

Numéro d'article

2SK4209

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tray

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-3P-3, SC-65-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-3PB

Dissipation de puissance (maximum)

2.5W (Ta), 190W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

800V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

12A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.08 Ohm @ 6A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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