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PSMN8R0-30YL,115

MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK

Numéro d'article

PSMN8R0-30YL,115

Fabricant/Marque

NXP USA Inc.

Série

TrenchMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SC-100, SOT-669

Package d'appareil du fournisseur

LFPAK56, Power-SO8

Dissipation de puissance (maximum)

56W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

62A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

8.3 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

18.3nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1005pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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