Acheter NXP USA Inc. PMV185XN,215 MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB

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PMV185XN,215

MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB

Numéro d'article

PMV185XN,215

Fabricant/Marque

NXP USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-236AB (SOT23)

Dissipation de puissance (maximum)

325mW (Ta), 1.275W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.1A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 1.1A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

1.3nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

76pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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