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PMPB20UN,115

PMPB20UN,115

MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN
Numéro d'article
PMPB20UN,115
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareil du fournisseur
6-DFN2020MD (2x2)
Dissipation de puissance (maximum)
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
6.6A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 6.6A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.1nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
460pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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Coordonnées
Mots-clés de PMPB20UN,115
PMPB20UN,115 Composants électroniques
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