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PMPB12UN,115

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Numéro d'article

PMPB12UN,115

Fabricant/Marque

NXP USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-UDFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

6-DFN2020MD (2x2)

Dissipation de puissance (maximum)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

7.9A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 7.9A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

886pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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