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BUK7Y25-80E/GFX

MOSFET N-CH LFPAK

Numéro d'article

BUK7Y25-80E/GFX

Fabricant/Marque

NXP USA Inc.

Série

TrenchMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SC-100, SOT-669

Package d'appareil du fournisseur

LFPAK56, Power-SO8

Dissipation de puissance (maximum)

95W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

80V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

39A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

25.9nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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