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PSMN8R9-100BSEJ

PSMN8R9-100BSE/SOT404/D2PAK

Numéro d'article

PSMN8R9-100BSEJ

Fabricant/Marque

Nexperia USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

D2PAK

Dissipation de puissance (maximum)

296W

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

108A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

128nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7.11nF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

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