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PSMN4R2-30MLDX

MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33

Numéro d'article

PSMN4R2-30MLDX

Fabricant/Marque

Nexperia USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)

Package d'appareil du fournisseur

LFPAK33

Dissipation de puissance (maximum)

65W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Schottky Diode (Body)

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

70A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.3 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

29.3nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1795pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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