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PSMN3R0-30YLDX

PSMN3R0-30YLDX

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Numéro d'article
PSMN3R0-30YLDX
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SC-100, SOT-669
Package d'appareil du fournisseur
LFPAK56, Power-SO8
Dissipation de puissance (maximum)
91W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
100A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
3.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
46.4nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2939pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de PSMN3R0-30YLDX
PSMN3R0-30YLDX Composants électroniques
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