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PSMN165-200K,518

MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1

Numéro d'article

PSMN165-200K,518

Fabricant/Marque

Nexperia USA Inc.

Série

TrenchMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Dissipation de puissance (maximum)

3.5W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.9A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

165 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1330pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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