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PSMN102-200Y,115

MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK

Numéro d'article

PSMN102-200Y,115

Fabricant/Marque

Nexperia USA Inc.

Série

TrenchMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SC-100, SOT-669

Package d'appareil du fournisseur

LFPAK56, Power-SO8

Dissipation de puissance (maximum)

113W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

21.5A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

102 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

30.7nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1568pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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