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PSMN0R9-30YLDX

MOSFET N-CH 30V 300A 56LFPAK

Numéro d'article

PSMN0R9-30YLDX

Fabricant/Marque

Nexperia USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-1023, 4-LFPAK

Package d'appareil du fournisseur

LFPAK56, Power-SO8

Dissipation de puissance (maximum)

291W

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

300A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

0.87 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

109nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7668pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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