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PSMN069-100YS,115
MOSFET N-CH LFPAK
Numéro d'article
PSMN069-100YS,115
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SC-100, SOT-669
Package d'appareil du fournisseur
LFPAK56, Power-SO8
Dissipation de puissance (maximum)
56W (Tc)
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
17A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
72.4 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
645pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
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Mots-clés de PSMN069-100YS,115
PSMN069-100YS,115 Composants électroniques
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