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PMXB65UPEZ

MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G

Numéro d'article

PMXB65UPEZ

Fabricant/Marque

Nexperia USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

3-XDFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

DFN1010D-3

Dissipation de puissance (maximum)

317mW (Ta), 8.33W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

12V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.2A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

72 mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

634pF @ 6V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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