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PMXB65ENEZ

PMXB65ENEZ

MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Numéro d'article
PMXB65ENEZ
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
3-XDFN Exposed Pad
Package d'appareil du fournisseur
DFN1010D-3
Dissipation de puissance (maximum)
400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3.2A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
67 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
295pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de PMXB65ENEZ
PMXB65ENEZ Composants électroniques
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