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PMV65UNEAR

PMV65UNEAR

MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Numéro d'article
PMV65UNEAR
Fabricant/Marque
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-236AB
Dissipation de puissance (maximum)
940mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.8A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
73 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
291pF @ 10V
Vgs (Max)
±8V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
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Coordonnées
Mots-clés de PMV65UNEAR
PMV65UNEAR Composants électroniques
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