Acheter Nexperia USA Inc. PMV55ENEAR MOSFET N-CH 60V TO-236AB

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PMV55ENEAR

MOSFET N-CH 60V TO-236AB

Numéro d'article

PMV55ENEAR

Fabricant/Marque

Nexperia USA Inc.

Série

Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-236AB (SOT23)

Dissipation de puissance (maximum)

478mW (Ta), 8.36W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.1A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

646pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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