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PMPB55ENEAX

MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD

Numéro d'article

PMPB55ENEAX

Fabricant/Marque

Nexperia USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-UDFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

6-DFN2020MD (2x2)

Dissipation de puissance (maximum)

1.65W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

56 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

435pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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