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PMPB20XNEAZ
MOSFET N-CH 20V SOT1220
Numéro d'article
PMPB20XNEAZ
Fabricant/Marque
Série
Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareil du fournisseur
DFN2020MD-6
Dissipation de puissance (maximum)
460mW (Ta), 12.5W (Tc)
Type FET
N-Channel
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
7.5A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.25V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
930pF @ 10V
Vgs (Max)
±12V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
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