Acheter Nexperia USA Inc. PMFPB8032XP,115 MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

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PMFPB8032XP,115

MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

Numéro d'article

PMFPB8032XP,115

Fabricant/Marque

Nexperia USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-UDFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

DFN2020-6

Dissipation de puissance (maximum)

485mW (Ta), 6.25W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Schottky Diode (Isolated)

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.7A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

102 mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Vgs (Max)

±12V

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