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PMCM6501VPEZ
MOSFET P-CH 12V 6WLCSP
Numéro d'article
PMCM6501VPEZ
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-XFBGA, WLCSP
Package d'appareil du fournisseur
6-WLCSP (1.48x.98)
Dissipation de puissance (maximum)
556mW (Ta), 12.5W (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
12V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
6.2A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
29.4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 6V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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