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PMCM6501UPEZ
MOSFET P-CHANNEL 20V 4WLCSP
Numéro d'article
PMCM6501UPEZ
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
4-XFBGA, WLCSP
Package d'appareil du fournisseur
4-WLCSP (2x2)
Dissipation de puissance (maximum)
556mW
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
-
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19.1nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
-
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