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PHB191NQ06LT,118

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Numéro d'article

PHB191NQ06LT,118

Fabricant/Marque

Nexperia USA Inc.

Série

TrenchMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

D2PAK

Dissipation de puissance (maximum)

300W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

55V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

75A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.7 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

95.6nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7665pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±15V

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