Acheter Nexperia USA Inc. BSH111BKR MOSFET N-CH 55V SOT-23

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BSH111BKR

MOSFET N-CH 55V SOT-23

Numéro d'article

BSH111BKR

Fabricant/Marque

Nexperia USA Inc.

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-236AB (SOT23)

Dissipation de puissance (maximum)

302mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

55V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

210mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4 Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Vgs (Max)

±10V

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