Acheter Microsemi Corporation JANTXV2N6800 MOSFET N-CH

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JANTXV2N6800

MOSFET N-CH

Numéro d'article

JANTXV2N6800

Fabricant/Marque

Microsemi Corporation

Série

Military, MIL-PRF-19500/557

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-205AF Metal Can

Package d'appareil du fournisseur

TO-205AF (TO-39)

Dissipation de puissance (maximum)

800mW (Ta), 25W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

400V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.1 Ohm @ 3A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

34.75nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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