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APTC90H12T1G

APTC90H12T1G

MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
Numéro d'article
APTC90H12T1G
Fabricant/Marque
Série
CoolMOS™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tray
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Colis/Caisse
SP1
Puissance - Max
250W
Package d'appareil du fournisseur
SP1
Type FET
4 N-Channel (H-Bridge)
Fonctionnalité FET
Super Junction
Tension drain-source (Vdss)
900V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
30A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.5V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 100V
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Coordonnées
Mots-clés de APTC90H12T1G
APTC90H12T1G Composants électroniques
APTC90H12T1G Ventes
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