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APTC80DA15T1G

APTC80DA15T1G

MOSFET N-CH 800V 28A SP1
Numéro d'article
APTC80DA15T1G
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Bulk
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Colis/Caisse
SP1
Package d'appareil du fournisseur
SP1
Dissipation de puissance (maximum)
277W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
800V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
28A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.9V @ 2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4507pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de APTC80DA15T1G
APTC80DA15T1G Composants électroniques
APTC80DA15T1G Ventes
APTC80DA15T1G Fournisseur
APTC80DA15T1G Distributeur
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