Acheter Microsemi Corporation APTC80DA15T1G MOSFET N-CH 800V 28A SP1

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APTC80DA15T1G

MOSFET N-CH 800V 28A SP1

Numéro d'article

APTC80DA15T1G

Fabricant/Marque

Microsemi Corporation

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Chassis Mount

Colis/Caisse

SP1

Package d'appareil du fournisseur

SP1

Dissipation de puissance (maximum)

277W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

800V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

28A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.9V @ 2mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4507pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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