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APT84F50B2

APT84F50B2

MOSFET N-CH 500V 84A TO-247
Numéro d'article
APT84F50B2
Fabricant/Marque
Série
POWER MOS 8™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3 Variant
Package d'appareil du fournisseur
T-MAX™ [B2]
Dissipation de puissance (maximum)
1135W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
500V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
84A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 42A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
340nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
13500pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de APT84F50B2
APT84F50B2 Composants électroniques
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