Acheter Microsemi Corporation 2N6796 MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39

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2N6796

MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39

Numéro d'article

2N6796

Fabricant/Marque

Microsemi Corporation

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-205AF Metal Can

Package d'appareil du fournisseur

TO-39

Dissipation de puissance (maximum)

800mW (Ta), 25W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

8A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.34nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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