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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

IC FLASH 6G DDR2
Numéro d'article
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
-
Technologie
FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Température de fonctionnement
-25°C ~ 85°C (TA)
Type de montage
-
Colis/Caisse
-
Package d'appareil du fournisseur
-
Tension - Alimentation
1.8V
Type de mémoire
Non-Volatile
Taille mémoire
4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Temps d'accès
-
Fréquence d'horloge
533MHz
Format de mémoire
FLASH, RAM
Temps de cycle d'écriture - Word, Page
-
Interface mémoire
Parallel
Citation requise
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Coordonnées
Mots-clés de MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Composants électroniques
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Ventes
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Fournisseur
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Distributeur
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Tableau de données
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