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SI3420-TP

SI3420-TP

MOSFET N-CHANNEL 20V 6A SOT23
Numéro d'article
SI3420-TP
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur
SOT-23
Dissipation de puissance (maximum)
350mW (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
6A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
630pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 10V
Vgs (Max)
±12V
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Coordonnées
Mots-clés de SI3420-TP
SI3420-TP Composants électroniques
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