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IXTY1R4N60P TRL

IXTY1R4N60P TRL

MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
Numéro d'article
IXTY1R4N60P TRL
Fabricant/Marque
Série
Polar™
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
TO-252, (D-Pak)
Dissipation de puissance (maximum)
50W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1.4A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5.5V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Mots-clés de IXTY1R4N60P TRL
IXTY1R4N60P TRL Composants électroniques
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