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IXTU08N100P

IXTU08N100P

MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251
Numéro d'article
IXTU08N100P
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Package d'appareil du fournisseur
TO-251
Dissipation de puissance (maximum)
-
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1000V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
8A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vgs (Max)
-
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Coordonnées
Mots-clés de IXTU08N100P
IXTU08N100P Composants électroniques
IXTU08N100P Ventes
IXTU08N100P Fournisseur
IXTU08N100P Distributeur
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