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IXTT2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
Numéro d'article
IXTT2N170D2
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Package d'appareil du fournisseur
TO-268
Dissipation de puissance (maximum)
568W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Tension drain-source (Vdss)
1700V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2A (Tj)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
6.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3650pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vgs (Max)
±20V
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