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IXTQ170N10P

IXTQ170N10P

MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P
Numéro d'article
IXTQ170N10P
Fabricant/Marque
Série
Polar™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-3P
Dissipation de puissance (maximum)
715W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
170A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
198nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de IXTQ170N10P
IXTQ170N10P Composants électroniques
IXTQ170N10P Ventes
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