L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
IXTP4N65X2
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
Numéro d'article
IXTP4N65X2
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-220
Dissipation de puissance (maximum)
80W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
650V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
455pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 29478 PCS
Coordonnées
Produits connexes
Mots-clés de IXTP4N65X2
IXTP4N65X2 Composants électroniques
IXTP4N65X2 Ventes
IXTP4N65X2 Fournisseur
IXTP4N65X2 Distributeur
IXTP4N65X2 Tableau de données
IXTP4N65X2 Photos
IXTP4N65X2 Prix
IXTP4N65X2 Offre
IXTP4N65X2 Prix le plus bas
IXTP4N65X2 Recherche
IXTP4N65X2 Achat
IXTP4N65X2 Chip