Acheter IXYS IXTP1R6N100D2 MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

IXTP1R6N100D2

MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB

Numéro d'article

IXTP1R6N100D2

Fabricant/Marque

IXYS

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-220AB

Dissipation de puissance (maximum)

100W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Depletion Mode

Tension drain-source (Vdss)

1000V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.6A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 800mA, 0V

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

645pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 16707 PCS

Coordonnées

Produits connexes

IXTP01N100D

MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB