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IXTK200N10L2
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
Numéro d'article
IXTK200N10L2
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-264-3, TO-264AA
Package d'appareil du fournisseur
TO-264 (IXTK)
Dissipation de puissance (maximum)
1040W (Tc)
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
200A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.5V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
540nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
23000pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
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Mots-clés de IXTK200N10L2
IXTK200N10L2 Composants électroniques
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