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IXTH1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
Numéro d'article
IXTH1N200P3HV
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3 Variant
Package d'appareil du fournisseur
TO-247HV
Dissipation de puissance (maximum)
125W (Tc)
Tension drain-source (Vdss)
2000V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
40 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
646pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
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Mots-clés de IXTH1N200P3HV
IXTH1N200P3HV Composants électroniques
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