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IXTH1N200P3HV

MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV

Numéro d'article

IXTH1N200P3HV

Fabricant/Marque

IXYS

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3 Variant

Package d'appareil du fournisseur

TO-247HV

Dissipation de puissance (maximum)

125W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

2000V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

40 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

23.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

646pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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