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IXTH1N170DHV

MOSFET N-CH

Numéro d'article

IXTH1N170DHV

Fabricant/Marque

IXYS

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3 Variant

Package d'appareil du fournisseur

TO-247HV

Dissipation de puissance (maximum)

290W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Depletion Mode

Tension drain-source (Vdss)

1700V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1A (Tj)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

16 Ohm @ 500mA, 0V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3090pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

±20V

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