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IXTA230N04T4
MOSFET N-CH
Numéro d'article
IXTA230N04T4
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
TO-263AA
Dissipation de puissance (maximum)
340W (Tc)
Tension drain-source (Vdss)
40V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
230A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.9 mOhm @ 115A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
7400pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
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Mots-clés de IXTA230N04T4
IXTA230N04T4 Composants électroniques
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