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IXTA1N170DHV
MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263
Numéro d'article
IXTA1N170DHV
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
TO-263
Dissipation de puissance (maximum)
290W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Tension drain-source (Vdss)
1700V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3090pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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