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IXTA110N055T7

IXTA110N055T7

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7
Numéro d'article
IXTA110N055T7
Fabricant/Marque
Série
TrenchMV™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Package d'appareil du fournisseur
TO-263-7 (IXTA..7)
Dissipation de puissance (maximum)
230W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
55V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
110A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
67nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3080pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de IXTA110N055T7
IXTA110N055T7 Composants électroniques
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