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IXFX32N80Q3
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
Numéro d'article
IXFX32N80Q3
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
PLUS247™-3
Dissipation de puissance (maximum)
1000W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
800V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
32A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6940pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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