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IXFV15N100P

MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220

Numéro d'article

IXFV15N100P

Fabricant/Marque

IXYS

Série

HiPerFET™, PolarP2™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3, Short Tab

Package d'appareil du fournisseur

PLUS220

Dissipation de puissance (maximum)

543W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1000V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

15A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

760 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

97nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5140pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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