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IXFV15N100P

IXFV15N100P

MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220
Numéro d'article
IXFV15N100P
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3, Short Tab
Package d'appareil du fournisseur
PLUS220
Dissipation de puissance (maximum)
543W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1000V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
15A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
760 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
97nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5140pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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En stock 27911 PCS
Coordonnées
Mots-clés de IXFV15N100P
IXFV15N100P Composants électroniques
IXFV15N100P Ventes
IXFV15N100P Fournisseur
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