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IXFT20N100P
MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268
Numéro d'article
IXFT20N100P
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™, PolarP2™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Package d'appareil du fournisseur
TO-268
Dissipation de puissance (maximum)
660W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1000V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
20A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
570 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
126nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
7300pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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