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IXFK36N60P

IXFK36N60P

MOSFET N-CH 600V 36A TO-264
Numéro d'article
IXFK36N60P
Fabricant/Marque
Série
HiPerFET™, PolarHT™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-264-3, TO-264AA
Package d'appareil du fournisseur
TO-264AA (IXFK)
Dissipation de puissance (maximum)
650W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
36A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
102nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5800pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de IXFK36N60P
IXFK36N60P Composants électroniques
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